دانلود پایان نامه درباره است همانطور که در

دانلود پایان نامه

پارامترهای NQR نانولوله سیلیسیم کاربید در لایه اول
در این بخش بررسی نتایج محاسبه شده نشان داد که پارامترهای CQ و Qη به چهار لایه تقسیم شده است. جدول (۲- ۹) پارامترهای NQR هسته کربن در نانولوله آرمچیر (۴و۴) سیلیسیم کاربید را نشان می دهد. همانطور که مشاهده می شود در لایه اول با ورود اتم آلومینیم در نانو لوله مقدار CQ نسبت به مقدار اولیه افزایش قابل توجهی داشته است این بدان معنی است که ورود اتم خارجی آلومینیم به نانولوله را تحت تاثیر قرار داده است که باعث شده که نیروی EFG جهت تغییر ممان چهار قطبی هسته ای در این لایه قابل توجه تر از مدل جایگزین شده از اتم فسفر شود بطوری که مقدار CQ آن در ۳۴/۰ مگاهرتز در حالت اولیه ۱/۱۹ مگاهرتز تغییر پیدا کرده است .
اما مقدار Qη نسبت به حالت اولیه کاهش شدیدی از ۲۵/۲ مگاهرتز به ۳۷/۰ داشته است اما مقدار Qη در مدل جایگزینی توسط اتم آلومینیم بیشتر از دو مدل دیگر یعنی جایگزینی با اتم فسفر و آلومینیم -فسفر می باشد اما در لایه دوم و سوم و عکس لایه اول مشاهده می شود که بدین صورت مقدار CQ در حضور اتم های فسفر آلومینیم در نانولوله بیشتر از حالت خالص و دو مدل دیگر می باشد و سپس در این حالت نیروی EFG بیشتری برای تغییر ممان چهار قطبی نیاز است اما در لایه آخر ملاحظه می گردد. جایگزینی اتم آلومینیم باعث افت شدیدی در مقادیر CQو Qη شده است این بدان معنی است که تراکم ابر الکترونی در اطاف این لایه کمتر از دیگر لایه هاست و برای تغییر ممان چهار قطبی به نیروی EFG کمتری احتیاج داریم .

جدول۲-۹ پارامترهای NQRهسته های Si سیلیسیم کاربید در لایه اول

(۴,۴) armChair BPNTs Layer1
Si-29
nuClei
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ (MHZ)
ηQ

Pristine
AL DoPed
P DoPed
AL,P DoPed
Layer1
0.34
2.25
1.19
0.37
0.31
0.22
0.29
0.28
Layer2
0.84
1.39
0.79
1.33
0.87
0.71
0.93
0.76
Layer3
0.44
0.40
0.47
0.67
0.57
0.59
0.59
1.68
Layer4
0.66
1.29
0.26
0.29
0.61
0.80
0.62
0.81
2-4-2 بررسی پارامترهای NQR نانولوله سیلیسیم کاربید در لایه سوم
نتایج مطالعه پارمترهای NQR برای لایه سوم در جدول (۲-۱۰) آورده شده است بررسی نتایج نشان می دهد که با جایگزینی اتم آلومینیم در لایه اول و دوم مقدار CQ نسبت به مقدار اولیه تقریبا دوبرابر شده است اما مقدارQ η در تمامی مدل ها بخصوص در مدل جایگزینی با اتم آلومینیم افت شدیدی داشته است اما در لایه سوم مشاهده می گردد با جایگزینی اتم آلومینیم مقادیر CQو Qη تقریبا دوبرابر شده است. لذا می توان نتیجه گرفت که تراکم ابر الکترونی در اطراف لایه سوم زیاد است پس در این لایه نیروی EFG بیشتری برای تغییر ممان چهار قطبی لازم است .اما در لایه چهارم اتم های آلومینیم – فسفر افزایش اندکی در مقدار CQ نسبت به حالت اولیه ملاحظه می شود این در حالی است که مقادیر Qη در تمام مدل ها نسبت به مدل اولیه کاهش شایان ذکری داشته است .
جدول۲-۱۰ پارامترهای NQRهسته های Si سیلیسیم کاربید در لایه سوم
(۴,۴) armChair BPNTs Layer3
Si-29
nuClei
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ
(MHZ)
ηQ

Pristine
Al DoPed
P DoPed
Al,P DoPed
Layer1
0.34
2.25
0.66
0.23
0.45
0.48
0.47
0.64
Layer2
0.84
1.39
1.11
0.57
0.52
0.83
0.92
0.72
Layer3
0.44
0.40
0.76
0.75
0.32
0.30
0.34
0.38
Layer4
0.66
1.29
0.69
0.45
0.35
0.36
0.84
0.66

2-4-3 بررسی پارمترهای NQR نانوله سیلیسم کاربید در لایه پنجم
در جدول (۲- ۱۱) پارامترهایNQR نانولوله سیلیسم کاربید در لایه پنجم آورده شده است همانطور که در جدول (۲-۱۱) ملاحظه می شود در لایه اول مقادیر CQ در حالت هایی با جایگزینی فسفر و آلومینیم – فسفر نسبت به حالت اولیه تقریبا ثابت (۳۴ /۰) باقی مانده است اما زمانیکه نانولوله با آلومینیم جایگزین می شود مقدار آن اندکی با حالت خالص افزایش می یابد اما مقدار Qη در تمام مدل ها نسبت به حالت اولیه کاهش بسیار زیادی داشته است اما باز هم در حالت جایگزینی با آلومینیم نسبت به مدل های جایگزینی دیگر اندکی بیشتر افزایش داشته است پس می توانیم اینگونه نتیجه بگیریم که ورود اتم آلومینیوم به نانولوله اثر مثبتی را در نانولوله داشته است و باعث تغییر بیشتری CQ و Qη شده است این بدین معنی است که تراکم ابر الکترونی در اطراف نانولوله جایگزین شده با آلومینیوم بیشتر شده است پش برای تغییر ممان چهار قطبی به نیروی EFG بیشتری نیاز است. اما در لایه دوم زمانیکه اتم فسفر در نانولوله جایگزین می شود مقدار CQ و Qη روند کاهشی داشته است پس می توان نتیجه گرفت که ورود اتم فسفر تراکم ابر الکترونی در اطراف ایسن لایه را کمتر کرده است .
زمانی که اتم های آلومینیم و فسفر بطور همزمان در نانولوله قرار می گیرند مقدار CQ و نسبت به مقدار اولیه و همچنین سایر مدل های افزایش قابل توجهی پیدا می کند پس نیاز به نیروی EFG را برای تغییر ممان چهار قطبی بیشتر می کند.
در لایه آخر نیز در حضور اتم آلومینیم افزایش چشمگیری در مقدار CQ نسبت به حالت اولیه ملاحظه می شود اما مقادیر Qη در همه مدل ها نسبت به حالت اولیه روند کاهشی داشته است .

جدول۲-۱۱ پارامترهای NQRهسته هایSi سیلیسیم کاربید در لایه پنجم
(۴,۴) armChair BPNTs Layer5
Si-29
nuClei
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ
(MHZ)
ηQ

Pristine
AL DoPed
P DoPed
AL,P DoPed
Layer1
0.34
2.25
0.39
0.72
0.34
0.49
0.34
0.43
Layer2
0.84
1.39
0.71
0.84
0.44
0.83
0.80
0.70
Layer3
0.44
0.40
0.49
0.50
0.45
0.47
0.53
0.42
Layer4
0.66
1.29
0.92
0.57
0.44
0.51
0.84
0.68

2-4-4 بررسی پارامترهای NQR نانولوله سیلیسم کاربید در لایه هفتم
در جدول (۲-۱۲) پارمترNQR برای هسته کربن سیلیسیم کاربید در لایه هفتم را نشان می دهد که در لایه اول مقدار CQ همه مدل ها نسبت به مدل اولیه تقریبا ثابت است بجز در جایگزینی هر اتم آلومینیم – فسفر که نسبت به مدل های اولیسه اندکی افزایش یافته است اما مقدارQ η در تمام مدل ها نسبت به مدل اولیه ( ۲۵/۲ ) کاهش بسیار شدیدی داشته است به طوری که این کاهش بسیار چشمگیر می باشد مشابه همین حالت را در لایه دوم و سوم مشاهده می کنیم اما در لایه چهارم مقدارCQ در تمام حالت ها نسبت به حالت اولیه کاهش یافته است به خصوص زمانی که اتم فسفر در نانو لوله جایگزین می شود که مقدار CQ از مقدار اولیه ۶۶ /۰ مگاهرتز به ۲۵/ ۰ مگاهرتز کاهش داده است همچنین در این مدل مقدار Qη نیز نسبت به همه مدل ها و حالت خالص کاهش بسیار شدیدی داشته است به طوری که مقدار آن در حالت اولیه ۲۹/۱ به مقدار ۳۰/۰ در حالت جایگزینی با اتم فسفر تغییر کرده است.پس می توان گفت در این حالت تراکم ابر الکترونی در اطراف نانولوله کمتر شده است که این باعث می شود ما به نیروی EFG کمتری برای تغییر ممان چهار قطبی نیاز داشته باشیم.

جدول۲-۱۲ پارامترهای NQRهسته های Si سیلیسیم کاربید در لایه هفتم
(۴,۴) armChair BPNTs Layer7
Si-29
nuClei
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ
(MHZ)
ηQ
CQ
(MHZ)
ηQ

Pristine
AL DoPed
P DoPed
AL,P DoPed
Layer1
0.34
2.25
0.34
0.26
0.33
0.47
0.42
0.26
Layer2
0.84
1.39
0.84
0.67
0.46
0.85
1.02
0.66
Layer3
0.44
0.40
0.40
0.33
0.43
0.71
0.55
0.44
Layer4
0.66
1.29
0.55
0.79
0.25
0.30
0.55
0.44

2-5- بررسی ساختارهای هومو و لومو نانولوله سیلیسیم کاربید
ساختارهای مربوط به هومو و لومو نانولوله سیلیسیم کاربید در شکل های (۲-۱۴) تا (۲-۲۱) آورده شده است. نتایج حاصل از محاسبات هومو- لومو نشان می دهد که تراکم ابر الکترونی هومو در همه مدل ها بر روی اتم کربن متمرکز است در حالی که تراکم ابر الکترونی لومو در همه مدل ها بر روئی اتم سیلیسیم توزیع شده است محتمل ترین انتقال از بالاترین اربیتال مولکولی اشغال شده (هومو) به پایین ترین اوربیتال اشغال نشده (لومو) است، پس باتوجه به آرایش الکترونی اتم سیلیسیم۳S23P2) ([Ne]و اتم کربن (۱S22S22P2) باید گفت که هر دو اتم سیلیسیم و کربن دارای چهار الکترون در بیرون ترین لایه خود هستند و هر دو در گروه چهار جدول تناوبی قرار دارند در الکترون در کربن در الکترون در اتم فسفر خود دارد و بصورت نیمه پر می باشد که سیلیسیم دارای هم اوربیتال P اشغال نشده و هم اوربیتال های dخالی می باشد پس مسلم است که ابر الکترونی لومو باید روی اتم سیلیسیم قرار گیرد.
۲-۵-۱- بررسی ساختارهای هومو-لومو در لایه اول
شکل های (۲-۱۴) ساختارهای هومو نانولوله سیلیسیم کاربید خالص و جایگزین شده با AL ، Pو AL-P در لایه اول را نشان می دهد همانگونه که مشاهده می شود ساختارهای هومومدل خالص تقریبا در همه جای نانولوله بر روی اتم های کربن به طور یکنواخت توزیع شده است با ورود اتم آلومینیم در نانولوله در همه جا نانولوله تراکم ابر الکترونی موجود است اما این تراکم در اطراف اتم جایگزین شده آلومینیوم بیشتر از سایر نقاط است که این عامل به علت زیاد بودن اوربیتال های خالی در اتم آلومینیوم است که باعث شده این گونه برای جذب الکتروفیل مناسب تر باشد زمانی که اتم فسفر در نانولوله حضور دارد تراکم ابرالکترونی فقط ناحیه ابتدایی نانولوله متمرکز شده است که آن هم در اطراف اتم فسفر و اتم های کربن کناری هستند که این نقاط نیز محل های مساعدی برای جذب گونه الکتروفیلی می باشند با جایگزینی آلومینیوم و فسفر به طور همزمان نیز مانند حالت خالص تراکم ابرالکترونی تقریبا در همه جای برروی اتم های کربن نانولوله پخش شده است.

(الف)

(ب)

(پ)

(ت)
شکل۲-۱۴ مقایسه اوربیتال های هومو در مدل آرمچیر (۴و۴) نانولوله سیلیسیم کاربید در لایه اول الف) خالص، ب) جایگزین شده با اتم آلومینیوم، پ) جایگزین شده با اتم فسفر، ت) جایگزین شده با اتم آلومینیوم-فسفر
شکل(۲-۱۵) ساختارهای لومو نانولوله سیلسیم کاربید در حالت های خالص جایگزین شده با آلومینیوم، فسفر، آلومینیم- فسفر را نشان می دهد. ساختارهای لومو حالت خالص تراکم یکنواخت در تمامی سطح نانولوله را بر روی اتم های سیلیسیم نشان می دهد. زمانی که اتم آلومینیوم بر روی سطح نانولوله قرار می گیرد تراکم ابر الکترونی از اطاف اتم آلومینیوم دورتر شده و به سمت مرکز و قسمت های انتهایی نانولوله کشیده شده است پس این نواحی برای جذب الکترون مناسب ترند اما هنگامی که اتم فسفر در نانولوله حضور دارد تراکم ابر الکترونی اندکی در کل سطح نانو لوله قرار دارد اما قسمت عمده ای این تراکم در لایه ابتدایی و در اطراف اتم فسفر و اتم های سیلیسیم قرار گرفته است که در واقع به علت وجود اوربیتال های خالی ۳ اتم سیلیسیم این مکان ها به محل های مناسبی برای جذب الکترون تبدیل شده اند در جایگزینی با آلومینیوم و فسفر ابرالکترونی در اطراف اتم های جایگزین شده تراکم بیشتری نسبت به موقعی
ت های دیگری دارد.

(الف)

(ب)

(ت)
شکل۲-۱۵ مقایسه اوربیتال های لومو در مدل آرمچیر (۴و۴) نانولوله سیلیسیم کاربید در لایه اول الف) خالص، ب) جایگزین شده با اتم آلومینیوم، پ) جایگزین شده با اتم فسفر، ت) جایگزین شده با اتم آلومینیوم-فسفر
۲-۵-۲- بررسی ساختارهای هوموولومو در لایه سوم
ساختارهای هومو-لومو نانولوله آرمچیر (۴و۴) سیلسیم کاربید با

Author: mitra6--javid

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *